苏州真空泵：无油真空泵在电子技术领域的应用

喜乐彩票真空泵：无油真空泵在电子技术领域的应用
通常我们在选择真空泵时多根据实际工况需要的真空度来选择真空泵的类型，依据抽气量来选择真空泵的抽速的。当然还有其他因素影响真空泵的应用，比如说真空电子技术领域里还应考虑工艺环境的清洁情况，实际工艺过程以及泵浦里面的反应气体和反应产物的颗粒。
无油真空泵应用较为广泛的两个领域有半导体以及LCD制造，用用于无反应气体抽出的场

合有:上、下卸料室，转移室，液晶注入，Color Filter等，用于有反应气体抽出的场合有:离子注入，刻蚀，抛光，LPCVD, PECVD等。在CVD生产中要求真空泵抽出反应生成物和N玛，q凡，C1凡, HCl等清洗气体。

一般工艺中的应用：

(1)N2清洗N2清洗的目的是稀释真空泵内部的反应气体;为泵的转轴提供密封;防止真空泵排气
口渗入空气及水分。N:清洗的气体量可根据需要调整。
(2)配冷阱冷阱通常是装在真空泵的吸气口及排气口位置，目的是减少反应生成物渗入到泵的量，减轻真空泵的负担;减轻废气处理的负担。
(3)温度控制根据工艺过程反应生成物的不同，为防止其附着在泵内，对无油机械真空的排气口
加热，或对上位泵实行温度控制。
(4)在线清洗在用LPCVD法制备氯化膜的过程中，会生出副产.钻氯化按(NH4C1) ,氯化按能溶于
水。利用这一特性，对单级立式无油机械真空泵可进行在线自动清洗，不必将泵拆离生产线就能用洗液做清洗工作。
CVI〕工艺中的应用
利用LPCVD工艺制备绝缘膜或半导体膜时，有机矽烷系统(TEOS)原料呈液体状态，TEOS与反应
副产物混合，形成凝胶状而堵塞真空泵排气口，这时在排气口应加冷阱。
利用PECVD工艺制备绝缘膜时，TEOS的反应副产物以白色粉末状通过真空泵，因此应选用非接
触型真空泵。清洗气体使用NF3,qF61 C1F3等与上述反应副产物结合，再形成另一种副产物，对真空泵
有**影响，此时可利用降低真空泵温度的方法解决。
干蚀刻工艺中的应用
蚀刻工艺可分为铝质金属蚀刻、多晶矽类的蚀刻、氧化膜的蚀刻等，金属类的蚀刻会产生大量反应
副产物，对深圳真空泵的负荷会很大〔71.
多晶矽膜、氧化矽膜等的蚀刻使用C凡，HBr,SF6等气体，反应副产物较少，升华温度较低，可以
气态形式排出泵外。铝质金属的蚀刻则使用三氯化硼等氯化气体，会产生大量的四氯化铝，升华温度
高，很容易附着在温度低的部位，未发生反应的气体又多半属于腐蚀性较强的。在钦的蚀刻中常使用氟
化系气体，其特性类似于氯化系气体。

千蚀刻生产中多用到氟、氯、溟化物系等腐蚀性较强的气体，这些气体与水结合变成强酸，有强烈腐蚀性。因此，要求泵和管道材料具有高度耐腐蚀性育旨。